我國(guó)自主研制的首批8英寸IGBT芯片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化

    近日，由我國(guó)自主研制的首批8英寸IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試并穩(wěn)定運(yùn)行1萬(wàn)公里，這標(biāo)志著我國(guó)已徹底打破國(guó)外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國(guó)產(chǎn)化。

    此次試運(yùn)行的IGBT模塊，由中國(guó)南車株洲研究所旗下南車時(shí)代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測(cè)試的整套技術(shù)均在該公司研制和生產(chǎn)。

    據(jù)中國(guó)工程院院士、南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍介紹，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國(guó)20%的電機(jī)中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時(shí)，相當(dāng)于兩個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。同時(shí)，中國(guó)自主研發(fā)的高功率等級(jí)的IGBT對(duì)涉及國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全、國(guó)防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。<