我國自主研制的首批8英寸IGBT芯片實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化

    近日，由我國自主研制的首批8英寸IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試并穩(wěn)定運(yùn)行1萬公里，這標(biāo)志著我國已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。

    此次試運(yùn)行的IGBT模塊，由中國南車株洲研究所旗下南車時代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術(shù)均在該公司研制和生產(chǎn)。

    據(jù)中國工程院院士、南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍介紹，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國20%的電機(jī)中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時，相當(dāng)于兩個三峽電站的年發(fā)電量。同時，中國自主研發(fā)的高功率等級的IGBT對涉及國家經(jīng)濟(jì)安全、國防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。<