GaN Systems HD半橋雙極驅動開關評估板在貿澤開售

　　2022年6月14日–提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入(NPI)分銷商貿澤電子(Mouser Electronics,Inc.)即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵(GaN)增強模式(e-mode)半橋評估板性能優異，同時減少了組件總數，節省了寶貴的電路板空間。

　　貿澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅動器和兩個半橋配置的650 V、60 A GaN增強模式晶體管。HEY1011是一款隔離式柵極驅動器，專為驅動具有快速傳播延遲和高峰值拉/灌能力的GaN FET進行了優化，適用于需要隔離、電平移位或接地隔離以實現抗噪性的高頻應用。由于HEY1011驅動器不需要二次側電源或自舉組件，因此釋放了寶貴的板空間，使設計更具成本效益。

　　為了幫助緩解柵漏電容電流的影響，GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅動裝置。該板可以執行雙脈沖測試或將半橋連接到現有LC電源段。雙脈沖測試可用于安全地評估硬開關條件下電源開關的特性。

　　GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板適合用于開發大功率無線充電器、工業逆變器、電機驅動/VFD、數據中心、住宅儲能系統以及其他電力電子應用。