|
|
| 新聞ID號(hào)： |
17258 |
無標(biāo)題圖片 |
| 資訊類型： |
會(huì)展報(bào)告 |
| 所屬類別： |
功率器件 |
| 關(guān) 鍵 字： |
SiC元件/功率半導(dǎo)體 |
| 內(nèi)容描述： |
～ |
| 發(fā)布時(shí)間： |
2008/9/26 10:24:56 |
| 更新時(shí)間： |
2008/9/26 10:24:56 |
| 審核情況： |
已審核開通[2008/9/26 10:24:56] |
| 瀏覽次數(shù)： |
共 1306 人/次 |
| 新聞來源： |
～ |
| 鏈 接： |
～ |
| 責(zé)任編輯： |
ronvy |
| 發(fā) 布 者： |
電源在線 |
| 圖片文件： |
|
|
|
|
|
| 管理操作： |
修改 設(shè)置為未審核 發(fā)布新聞資訊 |
| 內(nèi) 容： |
作為繼Si之后的新一代功率半導(dǎo)體，SiC是與GaN等一樣備受矚目的材料。有望成為實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)高效率化和小型化的關(guān)鍵所在。關(guān)于SiC的全球最高級(jí)別國際學(xué)會(huì)“第七屆碳化硅與相關(guān)材料歐洲會(huì)議（ECSCRM）”于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2008年9月7日在西班牙巴塞羅那召開。會(huì)議截止日期為08年9月11日。
ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發(fā)表決定SiC元件特性和價(jià)格的SiC底板、結(jié)晶成長(zhǎng)技術(shù)以及分析技術(shù)等相關(guān)最新成果。除這些技術(shù)外，“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應(yīng)用等近來備受矚目的研究成果”（在國際籌劃指導(dǎo)委員會(huì)就職的科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）JST京都科技創(chuàng)新館（Innovation Plaza）館長(zhǎng)松波弘之）。 |
|