美國(guó)Cree近日推出了通入350mA電流時(shí)光功率達(dá)370mW的高功率藍(lán)色發(fā)光二極管（LED）芯片“EZBright1000”。光功率為該公司原產(chǎn)品的2倍以上。如果將通入電流提高到1A，則光功率可增至800mW。適用于一般照明設(shè)備、車載設(shè)備、液晶面板的背照燈以及使用LED作為光源的投影機(jī)等需要較高光功率的設(shè)備。
制作白色LED時(shí)，需要將藍(lán)色LED芯片與熒光體材料進(jìn)行組合。在2006年6月舉辦的“2006年LED技術(shù)研討會(huì)（LED Technology Symposium 2006）”上，Cree表示如果藍(lán)色LED芯片的光功率達(dá)到360mW左右，則可得到發(fā)光効率為100lm/W的白色LED。由此可以推測(cè)，使用此次的芯片即可制成100lm/W的高功率白色LED。
EZBright1000在通入350mA電流時(shí)的正向電壓為標(biāo)準(zhǔn)3.3V。包括光功率最小分別為200mW及300mW的兩種型號(hào)，各型號(hào)又分別備有發(fā)光波長(zhǎng)在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范圍的產(chǎn)品。芯片的安裝尺寸為980μm×980μm。芯片厚度為100μm。芯片的上表面設(shè)有負(fù)電極，下表面設(shè)有正電極。
制作白色LED時(shí)，需要將藍(lán)色LED芯片與熒光體材料進(jìn)行組合。在2006年6月舉辦的“2006年LED技術(shù)研討會(huì)（LED Technology Symposium 2006）”上，Cree表示如果藍(lán)色LED芯片的光功率達(dá)到360mW左右，則可得到發(fā)光効率為100lm/W的白色LED。由此可以推測(cè)，使用此次的芯片即可制成100lm/W的高功率白色LED。
EZBright1000在通入350mA電流時(shí)的正向電壓為標(biāo)準(zhǔn)3.3V。包括光功率最小分別為200mW及300mW的兩種型號(hào)，各型號(hào)又分別備有發(fā)光波長(zhǎng)在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范圍的產(chǎn)品。芯片的安裝尺寸為980μm×980μm。芯片厚度為100μm。芯片的上表面設(shè)有負(fù)電極，下表面設(shè)有正電極。
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來(lái)源：日經(jīng)BP社
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本文鏈接：Cree推出將光功率提高一倍新型藍(lán)色L
http:www.wnxrsj.cn/news/2006-9/20069118562.html
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文章標(biāo)簽： Cree/LED/EZBright10
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