飛兆功率器件解決方案可改善EMI和MOSFET開關(guān)損耗

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出全新Stealth II和Hyperfast II二極管技術(shù)，作為其專為LCD TV開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二極管具有出色的軟恢復(fù)能力(tb/ta>1.3)和極短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<25nS @ 600V擊穿電壓)。這些特性非常適合于在CCM(連續(xù)電流模式)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計(jì)中改善EMI和MOSFET開關(guān)損耗。同時(shí)推出的還有FFPF08H60S Hyperfast II二極管，具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<35nS @ 600V擊穿電壓)和很低的前向電壓降(Vf<2.1V)，有助于在DCM(不連續(xù)電流模式)PFC設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新Stealth II和Hyperfast II技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的UniFET及SuperFET MOSFET技術(shù)系列相結(jié)合，并且相輔相成。這一產(chǎn)品組合提供了完整的解決方案，可以提高LCD TV電源設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率和可靠性，并同時(shí)降低EMI。

Stealth II/Hyperfast II+UniFET的組合優(yōu)化PFC設(shè)計(jì)

    LCD TV的SMPS一般工作在兩類PFC電流模式下：CCM和DCM。為了優(yōu)化CCM設(shè)計(jì)，飛兆半導(dǎo)體的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢復(fù)二極管可與飛兆半導(dǎo)體先前推出的UniFET MOSFET同用。例如，19A 500V FDA18N50 UniFET采用專有的平面條形DMOS技術(shù)獲得很低的導(dǎo)通阻抗RDS(on)(0.265Ohm @ VGS=10V)和很高的承受UIS(非鉗位感應(yīng)開關(guān))的能力。UniFET器件與新型的Stealth II二極管相結(jié)合，其開關(guān)損耗比較前一代產(chǎn)品可降低10%，從而實(shí)現(xiàn)出色的系統(tǒng)效率。同樣地，飛兆半導(dǎo)體新推出的FFPF08H60S Hyperfast II二極管也可與相同的UniFET器件共同使用，在DCM PFC工作模式下提高效率和雪崩保護(hù)能力。

SuperFET FRFET用于高效、可靠的主開關(guān)設(shè)計(jì)

    現(xiàn)在的LCD TV SMPS必須在開關(guān)模式工作中降低功耗，并同時(shí)保持系統(tǒng)性能和可靠性。飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的SuperFET快速恢復(fù)MOSFET(FRFET)產(chǎn)品便經(jīng)過優(yōu)化以滿足這種設(shè)計(jì)要求。結(jié)合SuperFET技術(shù)和控制少子壽命的工藝，SuperFET FRFET能夠提高體二極管的性能、對(duì)關(guān)斷電壓變化dv/dt的抗擾性，以及降低其EMI，最新一代FCPF11N60F器件具有trr=120ns & Qrr=0.8μC以及高達(dá)50V/ns dv/dt的能力。

    全新Stealth II和Hyperfast II產(chǎn)品采用采用無鉛封裝，能達(dá)到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。目前有現(xiàn)貨供應(yīng)，交貨期為收到訂單后12周內(nèi)。