羅姆展出閾值電壓+2.8V的縱向GaN類MOSFET

　　羅姆試制出使用GaN底板的常閉型縱向結構GaN類MOSFET，并進行了動作演示。其特點是“閾值電壓為+2.8V，正合適”。

　　閾值電壓越低，就越容易在低電壓下導通。不過，如果閾值太低，有時就會在噪聲影響下無意識地導通。“HEMT結構的常閉型GaN類晶體管，其閾值電壓只有+1V左右”。因此，此次將閾值電壓提高到+2.8V，與現(xiàn)有的Si材料功率MOSFET相同。這一數(shù)值是通過改進外延生長法和柵極氧化膜制作法實現(xiàn)的。

　　柵極電壓為10V時，試制品的導通電阻為20mΩcm2。今后計劃進一步降低導通電阻。解說員自信地說“有望降至1mΩcm2”。還將提高耐壓，“將依次提高600V、900V”