全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉換器及電動工具等工業應用。
新MOSFET的通態電阻 (RDS (on)) 能效比同類產品高出達50%，無需工業應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節省總系統成本。此外，低RDS (on) 可降低導通損耗，并提升系統效率。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統成本降低50%。”
全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產品有害物質限制 (RoHS) 指令。
產品基本規格如下：
|
元件編號 |
溝道型 |
Bvdss (V) |
RDS(on) (mΩ) |
Qg (nC) |
25 C下的Id (A) |
封裝 |
| |||||||
|
|
IRFP4004PBF |
N |
40 |
1.7 |
220 |
195* |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4368PBF |
N |
75 |
1.85 |
380 |
195* |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4468PBF |
N |
100 |
2.6 |
360 |
195* |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4568PBF |
N |
150 |
5.9 |
151 |
171 |
TO247 | |||||||
|
|
IRFP4668PBF |
N |
200 |
9.7 |
161 |
130 |
TO247 | |||||||
*封裝限制
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
編輯：ronvy
編輯：ronvy
本文鏈接：IR推出具有基準低通態電阻工業用認證之
http:www.wnxrsj.cn/news/2008-11/200811415391.html
http:www.wnxrsj.cn/news/2008-11/200811415391.html
文章標簽： IR/MOSFET /工業用認證
0755-82905460
郵箱 
：
