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飛兆半導體在印建研發中心 開發新一代功率MOSFET和IGBT技術

2008/2/26 10:01:10   電源在線網
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   專門提供可提升能效的高性能產品全球領先供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 現已在印度普那 (Pune) 建立設計中心。這家研發中心將負責公司新一代功率MOSFET 和 IGBT 技術的設計和開發,支持太陽能逆變器、不間斷電源|穩壓器 (UPS)、汽車、照明和鎮流器等普及應用。

    飛兆半導體提供業界最廣泛的產品系列,從1W到大于1200W 的產品都一應俱全,可完全滿足市場對高能效產品的需求。由于全球的燃油供應不斷緊缺,而各國有關應用產品能效的各種強制性法規與標準相繼出臺,因此市場對更低功耗、更節能的新技術的需求持續上升。飛兆半導體專注于開發先進的產品和解決方案,以推動所有的電子應用實現高功效。

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編輯:coco
  來源:電子工程專輯
本文鏈接:飛兆半導體在印建研發中心 開發新一代功
http:www.wnxrsj.cn/news/2008-2/200822610110.html
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