IR推出高電流密度30V DirectFET MOSFET系列

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源|穩(wěn)壓器、圖形，以及內(nèi)存穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。

    新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFET封裝技術(shù)，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。

    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準的功率MOSFET硅器件和DirectFET封裝，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25A的操作，同時保持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。”

    IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。

    IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd，使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQ、ST和MP占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。

    新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHs)，并已接受批量訂單。