繼SD4851芯片成功推出之后,杭州士蘭微電子公司近期又推出了更低待機功耗和更高能量轉(zhuǎn)換效率的原邊控制開關(guān)電源芯片SDH4851。該芯片滿足國際電聯(lián)手機充電器最新標(biāo)準(zhǔn),可廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設(shè)備。
SDH4851是內(nèi)置高壓啟動芯片和高壓功率MOSFET的高端無光耦開關(guān)電源控制器,提供原邊控制、線損補償和峰值電流補償功能,全電壓范圍待機功耗低于25mW,滿足能源之星Level5標(biāo)準(zhǔn)。
該芯片采用了PWM+PFM調(diào)制技術(shù),提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環(huán)路,具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。目前的SDH4851芯片可提供3--5W輸出功率,平均效率大于68%(采用1.8米AWG28電纜線),待機功耗小于25mW,輸出電壓的負載調(diào)整率優(yōu)于±4.0%,輸出電壓的輸入線電壓調(diào)整率優(yōu)于±0.6%,整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。
另外,SDH4851采用了原邊調(diào)整(PSR)技術(shù), 通過檢測變壓器初級線圈的電流和輔助線圈的電壓,間接控制系統(tǒng)的輸出電壓/電流,從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。該芯片采用了士蘭微電子自主知識產(chǎn)權(quán)的線損補償專利技術(shù),可以根據(jù)電纜的電阻大小調(diào)整補償電阻,在不同負載電流的條件下,自動調(diào)節(jié)補償電壓,以保證不同負載電流條件下的輸出電壓相同;峰值電流補償功能用來保證在不同的交流電壓輸入條件下,輸出恒流值相同。
SDH4851基于士蘭微電子自主研發(fā)的700V高壓BCD工藝制造,采用了內(nèi)置高壓MOSFET的DIP-8A封裝形式,具有集成度高、占板面積小、便于整機調(diào)試等突出的特點。
采用SDH4851設(shè)計整機系統(tǒng),可以省去光耦、次級反饋控制、環(huán)路補償,僅需極少的外圍元器件即可構(gòu)成完整的電源系統(tǒng),大幅節(jié)省了系統(tǒng)耗電并縮小了芯片板體積,有利于用戶精簡設(shè)計布局,降低開發(fā)和制造成本。■
來源:士蘭微電子
http:www.wnxrsj.cn/news/2009-11/2009114173129.html

