Qorvo助力簡化GaN PA偏置

　　中國北京–2022年6月14日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo®,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出ACT41000-104-REF1，這是一款GaN功率放大器(PA)偏置參考設計，可加強Qorvo GaN PA的設計與測試。

　　GaN器件是耗盡型FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用GaN PA的系統中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。

　　Qorvo的ACT41000-104-REF1內置可配置性，可實現多種GaN PA偏置并自動校準系統。它集成了功率MOSFET和電流數模轉換器，方便器件精準檢測PA靜態漏極電流。此設計采用電源管理，對GaN偏置流程進行簡化。

　　ACT41000可在4.5到40 V的輸入電壓下運行；在4 A電流下，可生成最高達24 V的穩定可調的輸出電壓，變化幅度為12.5 mV。ACT41000帶有評估平臺和GUI，可幫助客戶調節輸出漏極電壓、靜態和最大漏極電流、PA器件電流，以及電壓保護、開關頻率和其他功能，從而優化GaN PA性能。

　　在用戶接通系統電源后，將會自動執行此流程進行自動調試，防止因為老化或劇烈溫度波動造成故障，因而可降低測試難度，提升自動化水平。ACT41000內置可配置性，可為不同市場（包括衛星通信、5G、雷達等）內的各種Qorvo GaN PA提供偏置。

　　Qorvo可編程電源管理產品高級主管David Briggs表示：“Qorvo致力于為客戶和供應商簡化實際解決方案的設計和測試。這款全新產品集成了Qorvo功率產品與GaN產品組合，是我們產品組合擴展計劃的一部分。”

　　Qorvo是應用集成產品（如ACT41000）市場的領軍企業。觀看視頻教程，了解ACT41000如何經過專門設計從而與Qorvo行業領先的GaN產品進行集成。