意法微歐功率MOSFET提高并聯服務器電源能效

    意法半導體(ST)推出一款型號為STV300NH02L的新的功率MOSFET，這款新產品的特性是導通電阻極低，達到微歐的水平，在要求嚴格的電源系統中，新產品有助于降低損耗，提高能效。這個高電流的N溝道MOSFET器件是為并聯電源專門設計的，為了提高系統的可靠性，服務器廣泛使用并聯電源冗余結構。

    ST開發出一項引線帶楔焊鍵合創新技術，典型導通電阻Rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的MOSFET器件創造了一個新的工業基準。這款20V的產品是降低高效直流直流變換器二次側功耗的理想器件，短路保護功能十分優越，關斷時間極短。

    關鍵系統經常使用并聯電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個功能通常使用二極管，現在，為了實現更高的性能，MOSFET取代了二極管。現在功耗低的STV300NH02L在電源效率上又向前邁出了一大步。

    STV300NH02L采用PowerSO-10封裝，訂貨1,000件，單價4.50美元。