IR宣稱在功率器件技術上取得重大突破

　　國際整流器公司(IR)已經開始利用專有的基于氮化鎵(GaN)的功率器件技術平臺制造原型器件，這種器件經過5年的開發，據該公司稱將在電源轉換上推動重大突破。

　　IR暗示，與現有一代硅基工藝相比，這種基于硅上氮化鎵的外延工藝技術提供了重大改進，針對關鍵應用的性能系數提高了10倍。

　　該公司表示，“它將在諸如計算、通信、汽車以及電器等各個市場領域的終端應用中極大地提高性能并削減能耗。”

　　IR總裁兼首席執行官Oleg Khaykin表示，“這種基于GaN的技術平臺和IP組合擴大了我們在功率半導體器件上的領導地位，并為電源轉換開創了一個新時代，符合我們幫助客戶節省能源的核心使命。”

　　他補充說：“我們完全可以預料這一新的器件技術平臺對電源轉換市場的潛在影響，至少影響力與大約30年前IR推出的功率HEXFET的一樣大。”

　　該公司表示，由這種工藝制成的產品將引發各個領域應用的重大進步，包括AC-DC電源轉換、DC-DC電源轉換、電機驅動、照明、高密度音頻和汽車系統。

　　原型采用了高吞吐量、150毫米GaN-on-Si外延平臺以及后續的器件制造工藝，它們將在11月11-14日于慕尼黑舉行的電子展上向領先的OEM展示和供貨。

　　國際整流器公司還將在未來兩周內舉行的若干主要行業活動中高調展示這一平臺，包括：9月15-17日在舊金山舉行的Digital Power Forum 08；9月17-18日在San Jose舉行的Embedded Power Conference；9月22-24日在愛爾蘭科克舉行的Power Supply on A Chip國際工作坊。