安森美半導(dǎo)體推出用于便攜電子應(yīng)用的IPD2工藝技術(shù)

    應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合設(shè)計(jì)高精度、高性價(jià)比的集成無(wú)源元件，用于便攜電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級(jí)封裝應(yīng)用。

    HighQ™ IPD2工藝是安森美半導(dǎo)體定制代工部眾多創(chuàng)新制造服務(wù)之一，采用先進(jìn)的8英寸晶圓技術(shù)，典型設(shè)計(jì)包括平衡/不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用于最新便攜和無(wú)線應(yīng)用。基于IPD2的設(shè)計(jì)為電路設(shè)計(jì)人員提供重要優(yōu)勢(shì)，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同于延長(zhǎng)電池使用時(shí)間)。

    安森美半導(dǎo)體為其IPD2工藝技術(shù)提供全功能設(shè)計(jì)工具和設(shè)計(jì)支援，以及快速的原型制造能力，幫助潛在用戶快速和高性價(jià)比地評(píng)估，不管他們復(fù)雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉(zhuǎn)換至IPD2工藝。

    安森美半導(dǎo)體定制代工部高級(jí)總監(jiān)Rick Whitcomb說(shuō)：“在高性價(jià)比、小尺寸和低插入損耗的平臺(tái)上集成無(wú)源器件，能為電池供電便攜電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供極有用的方案。我們以全套設(shè)計(jì)工具和技術(shù)配合這新工藝，能夠幫助客戶以最短的時(shí)間和最大的信心，從效用相對(duì)較低的技術(shù)轉(zhuǎn)換至我們的IPD2工藝。”

    關(guān)于安森美半導(dǎo)體

    安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)是應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄�車、通信、�?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、LED照明、醫(yī)療、工業(yè)、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。■